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参数目录39782
> FDD850N10L MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK-3
型号:
FDD850N10L
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK-3
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
FDD850N10L PDF
标准包装
2,500
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
15.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
75 毫欧 @ 12A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
28.9nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1465pF @ 25V
功率 - 最大
50W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
TO-252,(D-Pak)
包装
带卷 (TR)
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